講演情報
[15p-WL2_101-13]ミストCVD法による炭素ドープしたNiOx薄膜のモット転移スイッチングにおける抵抗値の温度依存性
〇吾妻 正道1,2、宮本 翼1、村上 優孝1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
キーワード：
CeRAM（強相関電子ランダムアクセスメモリ）、炭素ドープ、酸化ニッケル薄膜
モットハバート絶縁体であるNiOx薄膜に炭素をドープするとバンドギャップが大きく減少し、電圧印加でモット転移によるとされる金属-絶縁体の非極性スイッチング現象を示す。この現象を利用した強相関電子メモリ（CeRAM）が提案されている。本稿ではミストCVD法を用いて炭素をドープしたNiOx薄膜を作製し、スイッチングの抵抗値変化の温度特性から、200℃の高温まで金属－絶縁体状態のスイッチングが起きていることを確認したので報告する。