講演情報
[15p-WL2_101-4]VO2薄膜の金属―絶縁体相転移を用いた低温RFスイッチングデバイス
〇小山 晴隆1,2、大池 広志2、渋谷 圭介3、渡邉 孝信1、小塚 裕介1,2,4 (1.早大理工、2.NIMS、3.産総研、4.東北大 AIMR)
キーワード：
量子コンピュータ、VO2、金属ー絶縁体相転移
量子コンピュータでは量子ビットの制御にRF信号が用いられており、量子ビット数の増加に伴って多数の同軸ケーブルが冷凍機内外に配置される。多数の同軸ケーブルは熱流入となるだけでなく、冷凍機スペースが逼迫する要因となっている。本研究では、冷凍機内で動作するRFスイッチングデバイスの開発を念頭に、WドープVO2(W:VO2)を用いた極低温環境で動作可能なRFスイッチングデバイスの作製及び特性評価を行った。