[15p-WL2_101-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[15p-WL2_101-7] (La_1-xSr_x)VO₃/n-Si接合界面における順方向電流-電圧特性の評価

〇(M1)岩崎 光志¹、高木 亮佑¹、橋本 收平¹、藤谷 海斗¹、堀田 育志¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：

遷移金属酸化物、強相関電子系、シリコン

我々は豊かな電子物性の強相関電子(SCES)材料をSiデバイスに接合することで、更なる高機能Siデバイス実現を目指している。しかし、デバイスの実現に重要な接合界面の電子輸送特性は未解明であった。本研究では、SCESの(La_1-xSr_x)VO₃をn-Si基板に接合し、電流-電圧測定及びシモンズの式を用いて、SCESの下部HubbardバンドとSi伝導体の電子輸送について詳細に調査した。その結果明らかになった通常のショットキー接合では説明できない電子輸送現象を紹介する。