[15p-WL2_401-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

13:30 〜 13:45

[15p-WL2_401-1] [第10回薄膜・表面物理分科会奨励賞受賞記念講演] ラテラル成長を用いたステップフリー界面を有する反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現

〇小林 和樹¹、佐藤 解¹、加藤 宙光²、小倉 政彦²、牧野 俊晴²、松本 翼¹、市川 公善¹、林 寛¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、Christoph Nebel^1,3、徳田 規夫¹ (1.金沢大学、2.産総研、3.Diacara)

キーワード：

ダイヤモンド、反転層チャネルMOSFET、界面

反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの課題は、主にステップ端に起因する高い界面準位密度（D_it）とそれに伴う低い電界効果移動度（µ_FE）である。本研究では、ラテラル成長技術を用いて、原子的に平坦なステップフリーのAl₂O₃/ダイヤモンド界面を有するMOSFETを作製した。その結果、D_itの低減およびµ_FEの向上を達成した。さらに、実用化に向けた歩留まりについても明らかにした。