セッション詳細

[15p-WL2_401-1~13]6.2 カーボン系薄膜

2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:15
WL2_401 (西講義棟2)

[15p-WL2_401-1][第10回薄膜・表面物理分科会奨励賞受賞記念講演] ラテラル成長を用いたステップフリー界面を有する反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現

〇小林 和樹1、佐藤 解1、加藤 宙光2、小倉 政彦2、牧野 俊晴2、松本 翼1、市川 公善1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、Christoph Nebel1,3、徳田 規夫1 (1.金沢大学、2.産総研、3.Diacara)

[15p-WL2_401-2]縦型V字トレンチ構造反転層ダイヤモンドMOSFETの作製

〇(D)中村 勇斗1、長井 雅嗣2、小林 和樹1、林 寛1、市川 公善1、松本 翼1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、牧野 俊晴2、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研)

[15p-WL2_401-3]H終端ダイヤモンドMOSFETの大電流化と高速スイッチング評価

〇高江洲 圭太1、中川 大輔1、佐野 大輔1、小堀 俊光1、村井 周治1、野間 恭太1、竹内 大輔2、牧野 俊晴2、梅沢 仁2 (1.(株)本田技術研究所、2.産業技術総合研)

[15p-WL2_401-4]水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタを用いたNOT・NANDゲートの試作及び耐放射線性評価

〇(M2)奥野 朝陽1、関 裕平1、梅沢 仁2、伊藤 洋輔1,3、金子 純一1,3 (1.北大院工、2.産総研、3.大熊ダイヤモンドデバイス)

[15p-WL2_401-5]セルフアライン法によるCaF2/CuゲートダイヤモンドMOSFETの耐放射線性

〇川島 宏幸1、伊藤 洋輔1,2、織田 堅吾2、山口 卓宏1,2、梅沢 仁1、金子 純一1,2、竹内 貞雄3、星川 尚久1 (1.大熊ダイヤモンドデバイス(株)、2.北大、3.日工大)

[15p-WL2_401-6]GaN on Diamond接合デバイスにおける接合層の効果

〇(D)白柳 裕介1,2、古畑 武夫1、友久 伸吾1、笠村 啓司2、豊田 洋輝2、松前 貴司3、倉島 優一3、高木 秀樹3、久保田 章亀2、長永 隆志1 (1.三菱電機、2.熊本大、3.産総研)

[15p-WL2_401-7]ダイヤモンドへの高濃度Nイオン注入による低抵抗層形成(II)

〇星野 靖1、今村 海哉1、関 裕平1,2、上原 さくら2、金子 純一2 (1.神奈川大理、2.北大院工)

[15p-WL2_401-8]高配向NVセンターの選択的CVD埋め込み成長技術の開発

〇林 寛1,2,3、中村 勇斗2、片山 まどか2、島村 一利4、吉田 利紅2、小林 和樹1、市川 公善1,2、吉川 太朗1,5、松本 翼1,2、猪熊 孝夫1,2、山崎 聡1,2、Christoph Nebel6、徳田 規夫1,2,3 (1.金沢大 ARCDia、2.金沢大 理工、3.未来視内視鏡講座、4.金沢大総技、5.(株)ダイセル、6.Diacara)

[15p-WL2_401-9]尖端放電型プラズマ化学気相成長法による高密度窒素δドープダイヤモンド薄膜形成

〇菊本 翔太1,2、阿部 一輝1,2、楢木野 宏2、吉武 剛2、蔭浦 泰資1 (1.産総研、2.九大院総理工)

[15p-WL2_401-10]基板表面への固体粒子付着がCVD単結晶ダイヤモンド成長に及ぼす影響

〇新田 魁洲1、嶋岡 毅紘1、山田 英明1、茶谷原 昭義1、坪内 信輝1、杢野 由明1 (1.産総研)

[15p-WL2_401-11]熱フィラメントCVD法によるダイヤモンドホモエピタキシャル成長時の金属取り込み

〇市川 公善1、小林 和樹1、松本 翼1、林 寛1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、徳田 規夫1 (1.金沢大)

[15p-WL2_401-12]大口径に向けたIr/サファイア基板上 ダイヤモンドのエピタキシャル成長

〇(DC)辻 政裕1、江口 正徳2、ニロイ チャンドラ サハ1、嘉数 誠1,3 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)

[15p-WL2_401-13]絶縁体MgO基板上へのダイヤモンド直接成長

〇高柳 真1、伊豆 優汰2、坂本 幸弘2、池田 京1、柳下 薫1、丸山 拓1、須﨑 友文1 (1.三菱ケミカル、2.千葉工大)