[15p-WL2_401-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[15p-WL2_401-13] 絶縁体MgO基板上へのダイヤモンド直接成長

〇高柳 真¹、伊豆 優汰²、坂本 幸弘²、池田 京¹、柳下 薫¹、丸山 拓¹、須﨑 友文¹ (1.三菱ケミカル、2.千葉工大)

キーワード：

ダイヤモンド、MgO、CVD

本研究では、絶縁体であるMgO基板上に対し、マイクロ波プラズマCVD法を用いて前処理なしのダイヤモンド直接成長を検討した。MgOは絶縁体である一方、結晶方位により表面極性の有無が異なるだけでなく、表面電子状態が金属的に変化することが知られている。このような表面状態の違いが、初期核発生挙動に影響を及ぼす可能性がある。