講演情報
[15p-WL2_401-2]縦型V字トレンチ構造反転層ダイヤモンドMOSFETの作製
〇(D)中村 勇斗1、長井 雅嗣2、小林 和樹1、林 寛1、市川 公善1、松本 翼1、猪熊 孝夫1、山崎 聡1、牧野 俊晴2、徳田 規夫1 (1.金沢大、2.産総研)
キーワード：
パワーデバイス、縦型トレンチMOSFET、ノーマリーオフ
ダイヤモンド縦型トレンチMOSFETは低損失化が期待されており、安全性の観点からノーマリーオフ動作が必須となる。反転層チャネルMOSFETでは(111)面が最適であるため、トレンチ側壁は{111}で構成する必要がある。我々が開発したダイヤモンドの結晶異方性エッチングによる{111}トレンチ形成技術を用い、反転層チャネル縦型トレンチMOSFETの動作実証を行った。作製されたデバイスは明瞭なFET特性を示し、ノーマリーオフ動作することを確認した。