講演情報
[15p-WL2_401-3]H終端ダイヤモンドMOSFETの大電流化と高速スイッチング評価
〇高江洲 圭太1、中川 大輔1、佐野 大輔1、小堀 俊光1、村井 周治1、野間 恭太1、竹内 大輔2、牧野 俊晴2、梅沢 仁2 (1.（株）本田技術研究所、2.産業技術総合研)
キーワード：
ダイヤモンド、MOSFET、スイッチング評価
ダイヤモンドはその物性から究極の半導体材料と呼ばれており高効率パワーデバイスへの応用が期待されているが、トランジスタ等のスイッチングデバイスとしての電流値は限られていることが課題となっている。昨年、我々はダイヤモンドMOSFETとしてアンペアクラスでのスイッチング動作を初めて実証したが今回は改善を加え電流密度および最大ドレイン電流を更新した内容を報告する。