[15p-WL2_401-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-WL2_401-4] 水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタを用いたNOT・NANDゲートの試作及び耐放射線性評価

〇(M2)奥野 朝陽¹、関 裕平¹、梅沢 仁²、伊藤 洋輔^1,3、金子 純一^1,3 (1.北大院工、2.産総研、3.大熊ダイヤモンドデバイス)

キーワード：

ダイヤモンド、デジタル回路、耐放射線性