講演情報
[15p-WL2_401-5]セルフアライン法によるCaF2/CuゲートダイヤモンドMOSFETの耐放射線性
〇川島 宏幸1、伊藤 洋輔1,2、織田 堅吾2、山口 卓宏1,2、梅沢 仁1、金子 純一1,2、竹内 貞雄3、星川 尚久1 (1.大熊ダイヤモンドデバイス（株）、2.北大、3.日工大)
キーワード：
ダイヤモンド、MOSFET、耐放射線性
ダイヤモンドデバイスは原子炉などの過酷環境での実用化が期待されている．本研究では微細化が容易となるセルフアライン法を用いたダイヤモンドMOSFETについて，X線照射による耐放射線性について調べた．このデバイスではゲート絶縁膜/電極としてCaF2/Cuを用いている．10MGyまでX線照射を行ったところ，3MGyまで照射しても未照射時とほぼ同様な特性を維持できていた．