[15p-WL2_401-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

15:00 〜 15:15

[15p-WL2_401-6] GaN on Diamond接合デバイスにおける接合層の効果

〇(D)白柳 裕介^1,2、古畑 武夫¹、友久 伸吾¹、笠村 啓司²、豊田 洋輝²、松前 貴司³、倉島 優一³、高木 秀樹³、久保田 章亀²、長永 隆志¹ (1.三菱電機、2.熊本大、3.産総研)

キーワード：

ダイヤモンド、接合層、拡張表面活性化接合

窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）の出力電力向上に向けて、高い熱伝導率のダイヤモンドを放熱基板に用いたGaN on Diamond（GoD）の研究を進められている。我々は、Si膜を接合層に用いた拡張表面活性化接合法によるGoDの作製に成功している。接合層は接合強度向上に寄与する反面、熱境界抵抗が増加するという課題がある。本発表では、接合層が接合に与える効果の解明を目的にGoD接合界面の構造評価、接合のメカニズムを報告する。