講演情報
[16a-M_178-3]積層グラフェン/スマネン/グラフェン構造が抵抗スイッチング特性に及ぼす影響
〇田畑 佳夏1、川合 遼一1、藤江 麗香1、勝亦 亮介1、君島 海都1、金子 知穏1、金 賢俊1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
キーワード：
スマネン、グラフェン、分子積層構造
本研究では、グラフェン／スマネン／グラフェンの積層構造を用いた抵抗スイッチングデバイスを作製し、スマネンによる分子積層構造が抵抗スイッチング特性および伝導経路に与える影響を検討した。スマネン1,2,3層のそれぞれのデバイスについて電流–電圧測定および統計解析を行った結果、SET電圧は層数に依存せずほぼ一定である一方、SET電流密度は層数増加に伴い増大する傾向を示した。