2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)17 ナノカーボン・二次元材料：17.3 層状物質

[16a-M_178-1~11]17.3 層状物質

2026年3月16日(月) 9:00 〜 12:00
M_178 (本館)
9:00 〜 9:15

[16a-M_178-1]コラニュレン分子を用いた積層構造の抵抗変化現象

〇川合 遼一1、金子 知隠1、勝亦 亮介1、藤江 麗香1、田畑 佳夏1、金 賢俊1、桐原 芳治1、君島 海都1、野平 博司1、石川 亮祐1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
9:15 〜 9:30

[16a-M_178-2]SumaneneおよびCorannuleneにおける線状連鎖構造差に起因した電気特性の比較

〇勝亦 亮介1、川合 遼一1、藤江 麗香1、田畑 佳夏1、君島 海都1、金子 知穏1、金 賢俊1、桐原 芳治1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
9:30 〜 9:45

[16a-M_178-3]積層グラフェン/スマネン/グラフェン構造が抵抗スイッチング特性に及ぼす影響

〇田畑 佳夏1、川合 遼一1、藤江 麗香1、勝亦 亮介1、君島 海都1、金子 知穏1、金 賢俊1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
9:45 〜 10:00

[16a-M_178-4]CVD成長ウエハースケールWSe2 FETの特性評価

〇石井 俊匡1、中島 隆一1、渥美 圭脩1、西村 知紀1、金橋 魁利1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.物質・材料研究機構)
10:00 〜 10:15英語発表

[16a-M_178-5]Transfer-free top-gate MoS2 FETs using MOCVD-MoS2 wafers

〇Juiteng Chang1, Shuhong Li1, Kosei Matsumoto1, Hiroyasu Maekawa1, Tomonori Nishimura1, Kaito Kanahashi1, Yoshiki Sakuma2, Takahiro Nagata2, Kosuke Nagashio1 (1.U. Tokyo, 2.NIMS)
10:30 〜 10:45

[16a-M_178-6]スパッタ法で作製したMoS2薄膜のCMOS化検討

〇土田 正道1、許 誠浩1、人見 史企1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
10:45 〜 11:00

[16a-M_178-7]PVD-MoS2膜の現像溶液耐性

〇小林 幸太郎1、ジャン ジェイヒョ1、松永 尚樹1、野澤 俊輔1、若林 整1 (1.東京科学大)
11:00 〜 11:15

[16a-M_178-8]TaOxゲートMoS2FETにおけるヒステリシス機構の検証

〇(M2)佐橋 悠太朗1、麻生 亮太郎2、富田 雄人2、Lin Che-Yi3、稲田 貢1、上野 啓司4、Lin Yen-Fu3、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.九州大院工、3.国立中興大学、4.埼玉院理工)
11:15 〜 11:30

[16a-M_178-9]2次元材料電界効果トランジスタにおける大気分子吸着ドーピング機構の制御

〇吉田 巧1、成田 琳太郎1、梅原 太一1、石黒 康志2、高井 和之1 (1.法政大院理工、2.防衛大電気電子工)
11:30 〜 11:45

[16a-M_178-10]WS2を用いた横型構造メモリスタ型ガスセンサ

〇合田 晴季1、生田 昂1、田中 貴久1 (1.慶大理工)
11:45 〜 12:00英語発表

[16a-M_178-11]Viologen Radical Modified MoS2 Transistors Enabling Memristive Behavior

〇Huiqin Liu1, Durgadevi Elamaran1, Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
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