[16a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

9:45 〜 10:00

[16a-M_178-4] CVD成長ウエハースケールWSe₂ FETの特性評価

〇石井 俊匡¹、中島 隆一¹、渥美 圭脩¹、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、遠藤 尚彦²、宮田 耕充²、長汐 晃輔¹ (1.東京大学、2.物質・材料研究機構)

キーワード：

WSe2、ウエハースケール、p型FET

ウエハースケールWSe₂を用いFETを作成しその特性を評価した。