[16a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

10:30 〜 10:45

[16a-M_178-6] スパッタ法で作製したMoS₂薄膜のCMOS化検討

〇土田 正道¹、許 誠浩¹、人見 史企¹、清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：

二次元材料、硫化モリブデン、薄膜トランジスタ

現在層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDCs)が電子デバイスとして注目を集めている。現在二硫化モリブデン(MoS₂)のCMOS化の高性能化について検討を行っている。前回の報告ではCMOSを作製し、これを構成している各TFTの伝達特性を報告した。本報告では、CMOSを高性能化するためにTFTのOFF電流の低減を目指して硫化プロセスを検討した。