[16a-M_178-1~11] 17.3 層状物質

11:00 〜 11:15

[16a-M_178-8] TaO_xゲートMoS₂FETにおけるヒステリシス機構の検証

〇(M2)佐橋 悠太朗¹、麻生 亮太郎²、富田 雄人²、Lin Che-Yi³、稲田 貢¹、上野 啓司⁴、Lin Yen-Fu³、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.九州大院工、3.国立中興大学、4.埼玉院理工)

キーワード：

二次元半導体FET、酸化タンタル、ヒステリシス