[16a-M_278-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[16a-M_278-1] Si基板上Ce-Mn共置換ZnOエピタキシャル薄膜の強誘電特性

〇(M1)大磯 裕也¹、井上 颯太¹、請関 優¹、藤村 紀文¹、河野 駿平²、大塚 信幸²、岡本 一輝²、舟窪 浩²、吉村 武¹ (1.大阪公立大学、2.東京科学大学)

キーワード：

強誘電体、ウルツ鉱構造

2019年にFichtnerらがAl₁₋ₓScₓNにおける強誘電性を報告して以来、ウルツ鉱材料の研究は急速に進展している。近年ではZnOにおいてもMg置換やCe–Mn共置換による強誘電性が報告されている。本研究では、Si基板上にCe–Mn共置換ZnOエピタキシャル薄膜を作製し、コンビナトリアル法によりCeおよびMn組成を基板面内で連続的に変化させ、強誘電性が発現する組成領域を明らかにした。