セッション詳細
[16a-M_278-1~7]6.1 強誘電体薄膜
2026年3月16日(月) 9:00 〜 10:45
M_278 (本館)
[16a-M_278-1]Si基板上Ce-Mn共置換ZnOエピタキシャル薄膜の強誘電特性
〇(M1)大磯 裕也1、井上 颯太1、請関 優1、藤村 紀文1、河野 駿平2、大塚 信幸2、岡本 一輝2、舟窪 浩2、吉村 武1 (1.大阪公立大学、2.東京科学大学)
[16a-M_278-2]ZnO系強誘電体薄膜の電気伝導特性におけるMn置換の効果
〇井上 颯太1、請関 優1、大磯 裕也1、藤村 紀文1、吉村 武1 (1.阪公大院工)
[16a-M_278-3]強誘電体Zn(Ce,Mn)O 薄膜のXAFS分析
〇中村 和弘1、吉野 雄大1、玉井 敦大1、足立 秀明1、權 相曉1、神野 伊策1、小川 智史2 (1.神戸大工、2.名古屋大工)
[16a-M_278-4]Mg, Mn共置換ZnO薄膜の作製とその強誘電性評価
〇吉野 雄大1、野村 和希1、中村 和弘1、玉井 敦大1、權 相曉1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
[16a-M_278-5]欠陥ウルツ鉱Al2S3薄膜の成長とその電気特性
〇小野 公輔1、設樂 一希2、森分 博紀2,3、近藤 真矢1、山田 智明1,3 (1.名古屋大工、2.JFCC、3.科学大MDX)
[16a-M_278-6]単分子誘電体に基づくアナログ・忘却特性を併せ持つメモリへの展開
〇有馬 將稀1、竹田 一志1、玉谷 陸翔1、中野 佑紀2、羽田 将人1、加藤 智佐都1、眞邉 潤1、藤林 将3、中村 貴義1、西原 禎文1,4,5 (1.広島大院先進理工、2.株式会社マテリアルゲート、3.宇部高専、4.広島大キラル国際研究拠点、5.JSTさきがけ)
[16a-M_278-7]ZrO2極薄膜における相形成および分極挙動のサイズ効果
栗林 優太1、拓馬 伊東1、砂岡 裕基2、島 宏美2、横田 幸恵1、江原 祥隆2、舟窪 浩3、〇内田 寛1 (1.上智大、2.防衛大、3.科学大)
