[16a-M_278-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-M_278-3] 強誘電体Zn(Ce,Mn)O 薄膜のXAFS分析

〇中村 和弘¹、吉野 雄大¹、玉井 敦大¹、足立 秀明¹、權 相曉¹、神野 伊策¹、小川 智史² (1.神戸大工、2.名古屋大工)

キーワード：

強誘電体薄膜、ZnO薄膜、XAFS

近年、AlNやZnOに代表されるウルツ鉱構造材料に添加物を導入した薄膜において強誘電性発現することが報告されており、高い残留分極をもつことから強誘電体メモリ等への応用が期待されている。我々の研究グループではCeとMnをZnに共置換したZn(Ce,Mn)O 薄膜で明瞭な強誘電性を報告している^[1]。その一方で、それらドーパントの及ぼす効果は不明である。本研究では、その効果をドーパントの価数およびその局所構造を明らかにすることを目的としてZn(Ce,Mn)O 薄膜のXAFS分析を行った。