講演情報
[16a-M_278-5]欠陥ウルツ鉱Al2S3薄膜の成長とその電気特性
〇小野 公輔1、設樂 一希2、森分 博紀2,3、近藤 真矢1、山田 智明1,3 (1.名古屋大工、2.JFCC、3.科学大MDX)
キーワード：
Al2S3、欠陥ウルツ鉱、強誘電体薄膜
AlScNなどウルツ鉱型の強誘電体（WZF）が注目されている。これらは従来のペロブスカイト型強誘電体と比べて大きな残留分極値を持つ一方で、抗電界が大きく、その低減が研究されている。他方、欠陥ウルツ鉱 Al2S3が既往WZFと比較して、小さなスイッチング障壁を持ちながら強誘電性を発現するという理論計算結果が報告されている。これは「本質的なカチオン欠陥の導入」という新規の抗電界低減戦略の可能性を示している。実験的な強誘電性の発現及び特性評価を目指し、パルスレーザー堆積法を用いた同物質のエピタキシャル薄膜の作製および電気特性の評価を行った。