講演情報
[16a-M_278-6]単分子誘電体に基づくアナログ・忘却特性を併せ持つメモリへの展開
〇有馬 將稀1、竹田 一志1、玉谷 陸翔1、中野 佑紀2、羽田 将人1、加藤 智佐都1、眞邉 潤1、藤林 将3、中村 貴義1、西原 禎文1,4,5 (1.広島大院先進理工、2.株式会社マテリアルゲート、3.宇部高専、4.広島大キラル国際研究拠点、5.JSTさきがけ)
キーワード：
強誘電体、単分子誘電体、メモリデバイス
脳の記憶は，スパイク回数に応じて記憶強度が連続的に変化する「アナログ性」と，低頻度情報が時間とともに自然に消失する「忘却性」を併せ持つ。しかし，前者は安定・可制御な状態を要する一方，後者は時間減衰を前提とするため，両者は物理的に相反する要件を含む。そこで，電場印加で自発分極が増大し，遮断で指数関数的に減少する分極緩和を示す「単分子誘電体」に着目し，動的分極応答を活用した新規メモリの開発を目指す。