[16a-PA3-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[16a-PA3-1] SiN_x膜中のSi-H、N-Hボンドの切断エネルギー

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

水素移動、分子軌道計算、ダングリングボンド

ダングリングボンド有りのSiN_ｘ膜の膜中の水素が移動するために必要なSi-H、N-Hボンド切断のエネルギー障壁を分子軌道計算法で解析した。