セッション詳細
[16a-PA3-1~3]13.3 絶縁膜技術
2026年3月16日(月) 9:30 〜 11:00
PA3 (アリーナ (1F))
[16a-PA3-1]SiNx膜中のSi-H、N-Hボンドの切断エネルギー
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
[16a-PA3-2]極薄AlGaN/GaN 構造における表面状態による 2DEG 濃度制御
〇(B)宮崎 奨佑太1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大工、2.三菱電機先端技総研)
[16a-PA3-3]Si基板上に作製した金属/HfZr酸化膜/金属キャパシタにおける誘電率と残留分極の温度依存性
手島 蒼生1、牧原 克典2、一野 祐亮1、清家 善之1、森 竜雄1、〇田岡 紀之1 (1.愛知工大、2.名大院工)