講演情報
[16a-PA3-2]極薄AlGaN/GaN 構造における表面状態による 2DEG 濃度制御
〇(B)宮崎 奨佑太1、南條 拓真1、古橋 壮之2、綿引 達郎2、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大工、2.三菱電機先端技総研)
キーワード：
AlGaN、GaN
AlGaN/GaN HEMT では、二次元電子ガス（2DEG）濃度がエピ成長条件により決定され、成長後プロセスによる制御は困難である。本研究では、極薄 AlGaN 層を用いた Extrinsically electron Induced by Dielectric（EID）構造に着目し、デバイスプロセスによる表面ピニングエネルギー制御を通じた 2DEG 濃度制御の可能性を、主にバンド計算から検討した。