[16a-PA3-1~3] 13.3 絶縁膜技術

[16a-PA3-3] Si基板上に作製した金属/HfZr酸化膜/金属キャパシタにおける誘電率と残留分極の温度依存性

手島 蒼生¹、牧原 克典²、一野 祐亮¹、清家 善之¹、森 竜雄¹、〇田岡 紀之¹ (1.愛知工大、2.名大院工)

キーワード：

強誘電体、誘電率、残留分極