講演情報
[16a-PA6-2]Hf置換ZnO薄膜の作製とその強誘電性評価
〇野村 和希1、吉野 雄大1、中村 和弘1、玉井 敦大1、權 相曉1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
キーワード：
強誘電体薄膜、ZnO薄膜
これまで我々はZnOにCe，Mnを添加したZn(Ce,Mn)O薄膜において強誘電性が発現することを報告した．これはZnをイオン半径と価数の大きいCeで置換することによってc/aを低減させ，更にMnを添加することによりZnOの絶縁性を改善させることで強誘電性を実現している．今回我々は，ZnO薄膜における新たな添加元素の探索を目的として，Znと同程度のイオン半径を有し，Ceと同じ価数4+のHfを添加したZnHfO薄膜を作製し，強誘電性に与える影響を調べた．