講演情報
[16a-PA6-3]ミストCVDによる絶縁基板上の銅成膜
〇高橋 勲1、澤水 悠佳1、森本 孝貴2 (1.立命館大学、2.㈱クオルテック)
キーワード：
銅、めっき、絶縁体
銅めっきは半導体の後工程など様々な用途で使用されているが、絶縁体上の成膜が困難である。これを解決するためにミストCVDを用いた銅成膜の検討を行った。ミストCVDは酸化膜の成膜が得意で金属膜の作製はやや困難であるが、比抵抗6.9μΩcmの比較的抵抗の低い薄膜が得らた。また、密着性もテープ試験などにより良好であることを確認した。