講演情報
[16a-PA6-5]X 線吸収分光法を用いた 電界印加による ScGaN 薄膜の局所構造の動的変化の観察
〇(M1)小林 輝1、阿蘇品 良磨1、瀬戸山 寛之2、中島 伸夫3、平田 研二4、秋山 守人4、上原 雅人1,4 (1.九大院総理工、2.SAGA-LS、3.広大院理、4.産総研)
キーワード：
強誘電体、X線吸収分光法、オペランド
ScGaN薄膜の電界応答をオペランドXAFSでの観察を行った。Sc-K端XANESのPre-edge強度は電圧波形に追随し、Main peakは逆位相で変化した。また、強度変化は電圧振幅と相関し、Scサイトの局所構造が外部電場で可逆的に変化することを直接観察できた。発表では分極反転を伴う強誘電応答も報告する。