講演情報
[16a-PB6-2]新規Ge系バンドエンジニアリングに向けた InGeSb混晶の作製と第一原理計算による評価
〇石津 岳1、母良田 友1、鈴木 風雅1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
キーワード：
シリコンフォトニクス、バンドエンジニアリング、ゲルマニウム
Si基板上光源の実現に向け，高濃度ドープと結晶性維持の両立が期待されるInGeSb混晶の検討を行った．第一原理計算による検討を経てMBE成長を試みた．その結果，低温では相分離が示唆された一方，500℃では良好な単結晶膜が得られた．本発表では，作製試料の結晶構造およびPL発光特性の評価結果を報告し，InSb導入に伴うバンド構造変調と発光能向上に向けた指針を議論する．