講演情報
[16a-S2_203-4][第17回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 低温堆積SiO2膜を用いた仮直接接合
〇大西 洸輝1、北川 颯人1、寺西 俊輔2、上殿 明良3、井上 史大1 (1.横浜国大、2.DISCO、3.筑波大)
キーワード：
半導体、直接接合、チップレット
本講演では、Die-to-Waferハイブリッド接合における仮接合プロセスに着目し、低温（= 150℃）で成膜したSiO2膜（LT-SiO2）を用いた直接接合による仮接合技術について紹介する。LT-SiO2による仮接合は、仮置きするダイのシフト抑制や接合面の平坦性確保に効果がある。さらに、熱処理によって容易に剥離可能なため、低コスト化を実現できる。LT-SiO2を用いた仮接合プロセス概要に加えて、剥離メカニズムについて議論する。