セッション詳細

[16a-S2_203-1~9]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2026年3月16日(月) 9:00 〜 11:45
S2_203 (南2号館)

[16a-S2_203-1]第17回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞授賞式

〇中塚 理1,2 (1.シリコンテクノロジー分科会幹事長、2.名大)

[16a-S2_203-2][The 17th Silicon Technology Division Paper Award Speech] Hole Mobility Enhancement in pMOSFETs Through High Ge Content, Asymmetric Strain and (110)-Oriented Channels

〇Chia-Tsong Chen1, Xueyang Han1, Kei Sumita1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo)

[16a-S2_203-3][第17回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 不連続な固相エピタキシャル成長を介して形成される粒内欠陥

〇手面 学1、浅野 孝典1、高石 理一郎1、富田 充裕1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1 (1.キオクシア㈱先端研)

[16a-S2_203-4][第17回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 低温堆積SiO2膜を用いた仮直接接合

〇大西 洸輝1、北川 颯人1、寺西 俊輔2、上殿 明良3、井上 史大1 (1.横浜国大、2.DISCO、3.筑波大)

[16a-S2_203-5]ウエハ直接接合における接合ダイナミクスとエッジボイド形成の相関解析

〇石井 陽向1、尾形 崚太1、山本 泰輔1、佐藤 亮輔1、北川 颯人1、井上 史大1 (1.横浜国大)

[16a-S2_203-6]FM-CVD による3DIC/TSV 向け低温成長AlNの高熱伝導率化に向けたプロセス条件最適化

〇(P)大高 雄平1、Lu Yin-Chi1、畠山 大樹1、山口 潤1、玉置 直樹1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)

[16a-S2_203-7]IR-OBIRCH法を用いた三次元集積回路用TSV構造における不良発生箇所の特定

〇(M1)竹原 夕二朗1、水谷 直貴2、高野 拓郎3、寺澤 靖雄3、居村 史人4、赤井 一郎5、青西 享6、橋新 剛7 (1.熊大院自、2.WDB(株)、3.(株)ニデック、4.(株)Hundred Semiconductors、5.熊大産ナノ研、6.東大院新領域、7.熊大院先端)

[16a-S2_203-8]段差パターン上へのレジスト平坦塗布サポート技術の開発

〇小島 遥希1、川島 裕嗣1、松本 壮太1、奥村 祐介1、松村 明1、有田 幸司1 (1.キオクシア株式会社)

[16a-S2_203-9]Suppression of Native Oxide in BaSi2 Solar Cells through HTL Engineering

〇Md Ariful Islam1, Yuka Fukaya1, Koki Hayashi1, Mizuki Hirai1, Yoichiro Koda2, Masami Mesuda2, Kaoru Toko1, Takashi Suemasu1 (1.Tsukuba Univ., 2.Tosoh Corp.)