講演情報
[16a-S2_203-6]FM-CVD による3DIC/TSV 向け低温成長AlNの高熱伝導率化に向けたプロセス条件最適化
〇(P)大高 雄平1、Lu Yin-Chi1、畠山 大樹1、山口 潤1、玉置 直樹1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
キーワード：
三次元立体集積回路、窒化アルミニウム、フローモジュレーション化学気相成長法
三次元集積化TSV内向け低温AlN成膜で、400℃程度で高速・高段差被覆性が可能な、NH3連続・TMA間欠供給によるフローモジュレーション化学気相成長(FM‑CVD)法を改良し、条件依存性を詳細に検討した。低温でも高熱伝導率を得るプロセスを提案し、最大10.9 W/(m・K)のAlN膜を実現した。