講演情報
[16a-S2_203-7]IR-OBIRCH法を用いた三次元集積回路用TSV構造における不良発生箇所の特定
〇(M1)竹原 夕二朗1、水谷 直貴2、高野 拓郎3、寺澤 靖雄3、居村 史人4、赤井 一郎5、青西 享6、橋新 剛7 (1.熊大院自、2.WDB（株）、3.（株）ニデック、4.（株）Hundred Semiconductors、5.熊大産ナノ研、6.東大院新領域、7.熊大院先端)
キーワード：
シリコン貫通電極、IR-OBIRCH法、ミニマルファブ
高速・大容量通信に伴いTSVの信頼性向上が求められている。本研究では、ミニマルファブで作製したTSVにIR-OBIRCH法を適用し、電気抵抗変化の検出を行った。スキャロップ有無で形成条件を変えた断面試料を評価した結果、側壁形状による信号分布差が確認され、リーク発生箇所の特定が可能であることを示した。