[16a-W2_401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[16a-W2_401-2] 高濃度Si ドープ AlN バリア層を用いた Al-rich AlGaN HEMT の作製

〇小坂 鷹生¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

窒化アルミニウム、HEMT、スパッタリング