セッション詳細
[16a-W2_401-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶
2026年3月16日(月) 9:00 〜 11:30
W2_401 (西2号館)
[16a-W2_401-1][The 47th Young Scientist Award Speech] High-current, high-voltage AlN Schottky Barrier Diodes
〇Cristyan Quinones1, Dolar Khachariya2, Pramod Reddy2, Seiji Mita2, Jack Almeter1, Pegah Bagheri1, Shashwat Rathkanthiwar1, Ronny Kirste2, Spyridon Pavlidis1, Erhard Kohn1, Ramon Collazo1, Zlatko Sitar1,2 (1.North Carolina State University, 2.Adroit Materials)
[16a-W2_401-2]高濃度Si ドープ AlN バリア層を用いた Al-rich AlGaN HEMT の作製
〇小坂 鷹生1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
[16a-W2_401-3]N極性GaN HEMT構造のGaNチャネル内AlN組成勾配とリーク電流の関係性
〇(DC)Zazuli Hiyama Aina1、仁ノ木 亮祐1、山中 郁哉1、木本 大星1、段畠 陽樹1、平田 靖晃1、林内 天1、北村 優弥1、砂井 慶1、阿部 凜音1、徳本 遥1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学)
[16a-W2_401-4]Dependence of 2-dimensional electron gas mobility on temperature and carrier concentration: Evidence of carrier-carrier scattering
〇Markus Pristovsek1, Yoann Robin1, Itsuki Furuhashi1 (1.IMASS, Nagoya Univ.)
[16a-W2_401-5]n-AlGaNにリーク電流を及ぼすAlNテンプレート上表面欠陥の解析
〇安永 弘樹1,2、赤池 良太2,3、水谷 洸貴3、中村 孝夫2,3、三宅 秀人2,3 (1.三重大研基機構、2.三重大半デセンター、3.三重大院工)
[16a-W2_401-6]スパッタAlN上MOVPE-AlNテンプレートを用いたAlGaN成長
〇(M2)松原 優翔1、藤井 滉樹1、髙柳 祐介1、林 悠希矢1、清水 蒼輝1、桑原 佑基1、松尾 航汰1、高島 祐介1,2、直井 美貴1,2、谷内 息吹4、中村 昭平4、前岡 淳史4、大澤 篤史4、高辻 茂4、木村 貴弘4、永松 謙太郎1,2,3 (1.徳島大理工、2.徳島大ポストLEDフォトニクス研究所、3.徳島大フォトニクス健康フロンティア研究院、4.(株)SCREENホールディングス)
[16a-W2_401-7]n-GaNおよびAlGaN/GaNヘテロ構造における電気化学的通電による電気伝導特性の比較
〇森田 廉1、安藤 陸1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
[16a-W2_401-8]有機金属気相成長におけるH2パルスエッチング技術を用いた{11-22}AlNの平坦化
〇(M1)住野 孝鴻1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)
[16a-W2_401-9]スパッタ成長n型AlGaNへのin-situスパッタコンタクト
〇内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
