[16a-W2_401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-W2_401-3] N極性GaN HEMT構造のGaNチャネル内AlN組成勾配とリーク電流の関係性

〇(DC)Zazuli Hiyama Aina¹、仁ノ木 亮祐¹、山中 郁哉¹、木本 大星¹、段畠 陽樹¹、平田 靖晃¹、林内 天¹、北村 優弥¹、砂井 慶¹、阿部 凜音¹、徳本 遥¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、山田 陽一¹ (1.山口大院・創成科学)

キーワード：

MOVPE、N極性GaN、HEMT