[16a-W2_401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00

[16a-W2_401-7] n-GaNおよびAlGaN/GaNヘテロ構造における電気化学的通電による電気伝導特性の比較

〇森田 廉¹、安藤 陸¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

AlGaN/GaNヘテロ構造、電気化学、窒化物半導体