講演情報
[16a-W2_401-8]有機金属気相成長におけるH2パルスエッチング技術を用いた{11-22}AlNの平坦化
〇(M1)住野 孝鴻1、倉井 聡1、岡田 成仁1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)
キーワード：
AlN、有機金属気相成長、{11-22}成長
AlN基板を用いた{11-22}GaN/AlN HEMTはノーマリーオフ動作が可能であるが、{11-22}成長では表面平坦性の悪化が課題である。本研究ではMOVPEにより{11-22}AlNを成長し、水素パルスエッチングおよびⅤ/Ⅲ比変更による平坦性改善効果を検討した。その結果、Ⅴ/Ⅲ比200でRMS値1.79 nmと最も高い平坦性が得られ、本手法の有効性を示した。