[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-W8E_101-1] 放熱性のさらなる向上に向けたGa極性GaN薄層/Diamond接合

〇岩本 晃¹、重川 直輝¹ (1.大阪公大工)

キーワード：

窒化物半導体、ダイヤモンド、表面活性化接合

我々は過去に、表面活性化接合法により作製した窒化物半導体/Diamond構造において、窒化物半導体素子の優れた放熱特性を実証した。本研究では窒化物半導体層の構造自由度拡大とさらなる放熱性向上を目指し、接合後の結晶成長を見据えたGaN薄膜/Diamond構造を作製した。