講演情報
[16a-W8E_101-5]Mgイオン注入GaNに対する活性化RTA前の850℃先行熱処理が活性化後に形成されたMOS構造の特性に及ぼす影響
〇唐沢 陽向1、高橋 尚伸1、赤澤 正道1、金木 奨太2、横山 正史2、藤倉 序章2 (1.北大量集センター、2.住友化学)
キーワード：
窒化ガリウム、欠陥、界面準位
Mgイオン注入はp-GaN形成において有望だが、注入によって誘発される欠陥を制御する方法は完全には確立されていない。高い活性化率を得るには、高温熱処理を行う場合でも、超高圧または長時間の処理が必要となる。本研究では、欠陥制御の手法を見出すため、高温での活性化高速熱処理（RTA）の前に、850℃での熱処理を行うことを検討しその影響について調べた。