[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15

[16a-W8E_101-6] MgおよびNイオン連続注入と超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBSダイオードの電流-電圧特性に対するTCAD解析

〇北川 和輝¹、上杉 勉²、堀田 昌宏^1,2、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム(GaN)、縦型JBSダイオード、Mgイオン注入