[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00

[16a-W8E_101-9] 金属/高濃度p-GaN接合における電流輸送機構の解明: Split-offバンドからの電界放出

〇前田 拓也¹、棟方 晟啓¹、小林 正起¹、中根 了昌¹、Karolina Peret²、Mikolaj Chlipala²、Henryk Turski² (1.東大院工、2.ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所)

キーワード：

窒化ガリウム(GaN)、電界放出、オーミック接触

n-GaN基板上MBE成長InGaNトンネル接合を用いたp-GaN SBDを作製し，その電流輸送機構の評価に取り組んだ．高濃度Mgドープ試料では整流性が低下し，見かけの障壁高さが減少した．VUV-ARPESで得た正確なバンドパラメータを用いた計算の結果，CHバンドの有効質量が0.17m₀と極めて小さいため，全正孔の約3%しか存在しないCHバンド由来の正孔電界放出が金属/高濃度p-GaN接合の電流輸送を支配することが分かった．