講演情報

9:00 〜 9:15

[16a-W8E_307-1]Chiplet時代のSi waferのゲッタリング設計

〇栗田一成¹、近藤博基¹ (1.九州大学)

シリコンウェーハ、ゲッタリング技術

2nm以降の先端デバイス製造（中間・後工程）に用いられるシリコンウェーハのゲッタリング技術の技術コンセプトについて議論し我々がこれまでに検討してきたゲッタリング技術について紹介する。