[16a-W8E_307-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

9:00 〜 9:15

[16a-W8E_307-1] Chiplet時代のSi waferのゲッタリング設計

〇栗田 一成¹、近藤 博基¹ (1.九州大学)

キーワード：

シリコンウェーハ、ゲッタリング技術

2nm以降の先端デバイス製造（中間・後工程）に用いられるシリコンウェーハのゲッタリング技術の技術コンセプトについて議論し我々がこれまでに検討してきたゲッタリング技術について紹介する。