[16a-W8E_307-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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[16a-W8E_307-3] <110>方位CZ-Si単結晶育成中のネック部における転位挙動と数値解析

〇塚田 大喜¹、塚田 翔馬¹、干川 岳志¹、斉藤 広幸²、松村 尚^1,2、太子 敏則¹ (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

キーワード：

シリコン、転位、数値解析