講演情報
[16a-W8E_307-4]CUSP-CZ-Si単結晶育成時における融液内温度、酸素濃度分布のるつぼ回転数依存性
〇柿本 浩一1、中野 智2 (1.東北大金研、2.九大 応力研)
キーワード：
半導体、シリコン、シミュレーション
CUSP磁場印加下におけるシリコン結晶成長法は、酸素濃度の制御の可能性が大きい。その反面、固液界面形状がM型になることにより点欠陥分布の制御、ひいてはボイドフリー結晶の育成条件に制限を加えることになる[1]。本報告では、CUSP磁場印加時におけるるつぼの回転速度と固液界面形状および酸素濃度の関係を、３次元流動解析を用いて検討を加えた結果について報告する。