[16a-W8E_307-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:00 〜 10:15

[16a-W8E_307-5] VB-Ga₂O₃単結晶成長時における応力・転位分布の成長軸方位依存性

〇柿本 浩一¹、富田 健稔²、Vladimir Kochurikhin²、北原 正典²、鎌田 圭¹、村上 力輝斗¹、中野 智³、姚 永昭⁴、赤岩 和明⁵、吉川 彰^1,2 (1.東北大金研、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.三重大、5.鳥取大)

キーワード：

半導体、Ga2O3、シミュレーション

Ga₂O₃酸化物単結晶は、パワーデバイス用結晶として注目を浴びてきており、新規結晶成長方法の報告も行われている[1]。β-Ga₂O₃結晶中の応力と転位は、デバイス特性の劣化の観点からその分布を制御する必要がある。本報告では、VB法でa-, b-, c-軸成長中の結晶内の転位密度分布を、3次元非定常解析法を用いて比較検討した。