[16a-W9_324-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[16a-W9_324-10] β-Ga₂O₃における窒素の異方性拡散がSBD特性に及ぼす影響

〇酒井 隆司¹、林田 哲郎¹、田屋 昌樹¹、綿引 達郎¹、小石川 結樹²、脇本 大樹²、宮本 広信² (1.三菱電機、2.NCT)

キーワード：

酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード