2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-W9_324-1~12]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2026年3月16日(月) 9:00 〜 12:15
W9_324 (西9号館)
9:00 〜 9:15

[16a-W9_324-1]放射光X線トポ・トモグラフィーを用いたβ型Ga2O3結晶中の格子欠陥三次元可視化

〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、菅原 義弘2、佐々木 公平3、倉又 朗人3、石川 由加里2 (1.三重大、2.JFCC、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
9:15 〜 9:30

[16a-W9_324-2]Siドープβ-Ga2O3薄膜におけるバンドギャップ再構成

〇尾沼 猛儀1、山本 夏維1、田中 恭輔1、伊庭 義騎2、吉永 純也2,3、窪田 翔海2、寺内 悠真2、山口 智広1、東脇 正高4,5、伴 雄三郎6、熊谷 義直2、本田 徹1 (1.工学院大学、2.東京農工大院工、3.大陽日酸株式会社、4.大阪公立大院工、5.情通機構、6.大陽日酸ATI株式会社)
9:30 〜 9:45

[16a-W9_324-3]反応性イオンエッチングにより窒素ドープしたn-Ga2O3 (100), (010), (001) 基板の構造および電気的特性評価

峰山 滉正1、〇東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
9:45 〜 10:00

[16a-W9_324-4]MBE成長した窒素ドープGa2O3薄膜中の窒素原子の熱拡散 (2)

稲嶌 仁1、峰山 滉正1、本田 智子1、〇東脇 正高1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)
10:00 〜 10:15

[16a-W9_324-5]β-Ga2O3のすべり面についての結晶化学的考察

〇山口 博隆1、姚 永昭1,2、勝部 大樹1、石川 由加里1 (1.ファインセラミックスセンター、2.三重大)
10:15 〜 10:30

[16a-W9_324-6]β-Ga2O3におけるショットキー電極材料としての金属窒化物の適用

〇西水流 悠太1、宇都 佑紀1、中村 大輝1、大野 泰夫2、新海 聡子1 (1.九工大、2.（株）レーザーシステム)
10:45 〜 11:00

[16a-W9_324-7]NiOx/β-Ga2O3 (001)ヘテロ接合ダイオードの電気特性評価及び電流輸送機構の考察

〇棟方 晟啓1、宮本 広信2、佐々木 公平2、前田 拓也1 (1.東京大学、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
11:00 〜 11:15

[16a-W9_324-8]ミスト CVD 法による β-Ga2O3 基板へのエピタキシャル NiO 成長

〇余野 正樹1、石谷 陸渡1、三宅 正男1、池之上 卓己1、土井 俊哉1 (1.京大院エネ科)
11:15 〜 11:30

[16a-W9_324-9]静電スプレー堆積(ESD)法における原料中の溶媒がNiO薄膜の成長メカニズムに与える影響

〇柴田 圭亮1、田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)
11:30 〜 11:45

[16a-W9_324-10]β-Ga2O3における窒素の異方性拡散がSBD特性に及ぼす影響

〇酒井 隆司1、林田 哲郎1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1、小石川 結樹2、脇本 大樹2、宮本 広信2 (1.三菱電機、2.NCT)
11:45 〜 12:00

[16a-W9_324-11](011)面HVPE β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥の同定

〇江口 正徳1、佐藤 誠2、中庭 正太郎2、サハ ニロイ チャンドラ2、林 家弘3、佐々木 公平3、嘉数 誠2 (1.佐賀大学シンクロ、2.佐賀大院理工、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
12:00 〜 12:15

[16a-W9_324-12]低リーク電流β-Ga2O3デバイスの実現に向けた窒素注入CBLの検討

〇海老原 洪平1、林田 哲郎1、野口 宗隆1、酒井 隆司1、田中 梨菜1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機)
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