講演情報
[16a-W9_324-12]低リーク電流β-Ga2O3デバイスの実現に向けた窒素注入CBLの検討
〇海老原 洪平1、林田 哲郎1、野口 宗隆1、酒井 隆司1、田中 梨菜1、田屋 昌樹1、綿引 達郎1 (1.三菱電機)
キーワード：
酸化ガリウム、Ga2O3、CBL
β-Ga2O3デバイスではp型のドーピング制御が困難なため、p型層の代替としてイオン注入により形成したディープアクセプタ層をCBL（Current Blocking Layer）として用いた縦型MOSFETが提案されている。CBLを用いたβ-Ga2O3デバイスのリーク電流は従来のパワーデバイスと比較して大きいという課題に対し、今回、窒素イオンの注入量を振り分けたCBL-TEG（Test Element Group）の試作を行い、リーク電流の低減効果を評価した。また、発光解析によりリーク電流が流れる箇所の特定を行った。