[16a-W9_324-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30

[16a-W9_324-2] Siドープβ-Ga₂O₃薄膜におけるバンドギャップ再構成

〇尾沼 猛儀¹、山本 夏維¹、田中 恭輔¹、伊庭 義騎²、吉永 純也^2,3、窪田 翔海²、寺内 悠真²、山口 智広¹、東脇 正高^4,5、伴 雄三郎⁶、熊谷 義直²、本田 徹¹ (1.工学院大学、2.東京農工大院工、3.大陽日酸株式会社、4.大阪公立大院工、5.情通機構、6.大陽日酸ATI株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム、フォトルミネセンス励起、バンドギャップ再構成

減圧ホットウォールMOVPE法により半絶縁性β-Ga₂O₃ (010)基板へ成長されたSiドープ薄膜に対し光学的測定を行った。3.35 eV (370 nm)付近のPLに対し偏光PL励起測定を行った。PL励起スペクトルにはG点での励起子遷移に伴うピークが観測された。ピークエネルギーのキャリア密度依存性から、Si不純物の軌道との混成によるバンドギャップ再構成が示唆された。